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国产闪存新进展:三大公司明年进入量产

时间:2018-07-23 16:12:55  来源:本站  作者:

  IT之家7月21日消息 据台湾媒体《电子时报》本周四报道,中国大陆地的区长江存储、晋华公司和Innotron三家公司的存储芯片工厂预计将明年竣工并投入量产。

  IT之家报道,长江存储此前透露,已获得首批超过10000套32层3D NAND闪存芯片的商业生产订单,将用于8GB SD存储卡上。不过,业内人士的消息称,长江存储的32层NAND芯片的月产量仅为5000片晶圆,较为有限。

  消息人士还称,长江存储目前主要是将研发资源投入到64层3D NAND闪存中,并计划在今年年底出样。

  晋华方面则表示,此前与联华电子(UMC)联合开发的第一代DRAM生产技术预计于今年年底投入生产。业内人士透露,Innotron最近已进入8Gb LPDDR4芯片的试生产阶段,不过该公司尚未确认是否已经开始生产。Innotron此前公布了其生产的19nm 8Gb DDR4产品,预计年底亮相,明年即可量产。返回搜狐,查看更多

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